삼성전자, 업계 최선단 12나노급 D램 개발

삼성전자가 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하고 최근 AMD와 함께 호환성 검증을 마쳤습니다. 12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정을 의미합니다. 22일 삼성전자에 따르면 최근 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 높이고, 회로 특성 개선을 위한 혁신적인 설계 등을 통해 업계 최선단의 공정을 완성했습니다. 또 멀티레이어 EUV(극자외선, Extreme Ultra-Violet) 기술을 활용해 업계 최고 수준의 집적도로 개발됐습니다. 12나노급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐습니다. DDR5 규격의 이번 제품은 최대 동작속도 7.2Gbps를 지원합니다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도입니다. 이 제품은 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선돼, 기후 위기 극복에 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들에 최상의 솔루션이 될 것으로 기대를 모으고 있습니다. 삼성전자는 2023년부터 업계 최선단, 최고 성능의 12나노급 D램을 양산하는 한편, 글로벌 IT기업들과 협력하며 차세대 D램 시장을 견인해 나간다는 목표

• 제해영 기자
• 2022-12-22 10:52